在当今科技快速发展的时代,将光感知与神经形态计算功能集成于氮化镓(GaN)基器件,已成为突破传统分立器件局限的关键一步。这一创新举措不仅可以显著提升信息处理效率,降低系统功耗与延迟,还能够为构建高速、低功耗、高集成的智能光电子系统提供核心硬件支撑,有力推动下一代光电子智能感知与处理技术的发展,例如仿生视觉芯片、光神经形态计算等前沿领域。 近期,中科院苏州纳米所陆书龙团队凭借在 GaN 材料外延与器件工艺方面的深厚积累,在氮化镓基单片集成器件领域取得了两项令人瞩目的重要进展,为 GaN 领域的发展注入了新的活力。