垂直氮化镓(Vertical GaN)是氮化镓(GaN)材料的一种新型结构,采用垂直拓扑设计。与传统横向结构相比,垂直 GaN
通过增加漂移层厚度提升阻断能力,同时不增加器件面积,适合高电压、高功率应用。其优势在于高击穿电压、低导通电阻和高导通电流密度,为电力电子系统提供高性价比解决方案,有望在高压领域取代传统硅基器件。
在全球制造业加速迈向智能化、数字化的浪潮中,华为、大疆、特斯拉、小米等领军企业的 “超级工厂”
案例,犹如一座座灯塔,照亮了智能制造的前行方向,揭示了更深层的变革逻辑。这些企业通过深度融合 MES 系统与 AI
质检平台,不仅实现了生产数据的毫秒级闭环反馈,更开创了 “参数自优化”
的新型生产范式。系统能够依据市场订单的实时波动,在极短时间内重构整条产线的工艺参数组合,展现出惊人的灵活性与高效性。